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BAW56E8000

更新时间: 2024-02-07 05:50:15
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 151K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

BAW56E8000 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOT-23, 3 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.33 W
最大重复峰值反向电压:80 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAW56E8000 数据手册

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BAW56...  
Permissible Pulse Load  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
thJS p  
I
/ I  
= ƒ (t )  
BAW56S  
Fmax FDC  
BAW56  
10 2  
p
10 3  
K/W  
-
D = 0  
0.005  
0.01  
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0.05  
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10 2  
10 1  
10 0  
10 1  
0.2  
0.5  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
0.005  
D = 0  
10 0  
10 -6  
10 -5  
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10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
T
t
P
P
Permissible Pulse Load  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
thJS  
p
I
/ I  
= ƒ (t )  
BAW56U  
Fmax FDC  
BAW56S  
10 2  
p
10 3  
K/W  
-
D = 0  
10 2  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
10 1  
D=0.5  
0.2  
0.2  
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0.1  
10 1  
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0.02  
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0
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10 0  
10 -6  
10 -6  
10 -5  
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10 -3  
10 -2  
10 0  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 0  
s
s
t
t
P
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2007-09-19  
6

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