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BAW56E8000

更新时间: 2024-02-26 01:41:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 151K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

BAW56E8000 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOT-23, 3 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.33 W
最大重复峰值反向电压:80 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAW56E8000 数据手册

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BAW56...  
Forward current I = ƒ (T )  
Forward current I = ƒ (T )  
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BAW56S  
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250  
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15 30 45 60 75 90 105 120  
15 30 45 60 75 90 105 120  
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T
T
S
S
Forward current I = ƒ (T )  
Permissible Puls Load R  
= ƒ (t )  
F
S
thJS p  
BAW56W  
BAW56  
10 3  
250  
mA  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
10 2  
10 1  
10 0  
10 -1  
D = 0,5  
0,2  
0,1  
0,05  
0,02  
0,01  
0,005  
0
50  
25  
0
0
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s
15 30 45 60 75 90 105 120  
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10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2  
10 0  
T
T
S
P
2007-09-19  
5

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