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BAW56E8000

更新时间： 2024-02-16 08:16:08

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	151K
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BAW56E8000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.33 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAW56E8000 数据手册

BAW56...

Reverse current I = ƒ (T )

Forward Voltage V = ƒ (T )

F A

V = Parameter

I = Parameter

10 ⁵

1.2

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

10 ⁴

10 ³

10 ²

10 ¹

70 V

25 V

0.4 IF = 150mA

IF = 100mA

0.3

0.2

0.1

IF = 50mA

IF = 10mA

IF = 1mA

IF = 0,1mA

°C

100

150

-40 -20

20 40 60 80 100

140

Forward current I = ƒ (V )

Forward current I = ƒ (T )

F S

T = 25°C

BAW56

BAW 56

EHB00091

250

150

Ι _F

200

175

150

125

100

typ

max

°C

15 30 45 60 75 90 105 120

150

0.5

1.0

1.5

V_F

2007-09-19

1 2 345 6 7...12

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