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BAW56DW

更新时间： 2024-09-10 12:54:39

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SWITCHING DIODE

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BAW56DW 数据手册

RoHS

BAW56DW

SOT-363

BAW56DW

SWITCHING DIODE

FEATURES

Power dissipation

P_D:

200 mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_F:

150 mA

Collector-base voltage

V_R: 75

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

MAKING: KJC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

V_{(BR) R}

I_R= 2.5µA

Reverse breakdown voltage

V_R=75V

V_R=20V

2.5

I_R

Reverse voltage leakage current

µA

0.025

I_F=1mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

715

855

1000

1250

Forward voltage

V_F

C_j

t_rr

V_R=0V, f=1MHz

Junction capacitance

Reveres recovery time

I_F=I_R=10mA

I_rr=0.1×I_R

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

R_L=100Ω

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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