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BAV99GS08

更新时间： 2024-11-13 21:11:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 101K
描述
0.15A, 70V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3

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BAV99GS08 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.02配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.3 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.006 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

BAV99GS08 数据手册

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BAV99  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Dual Switching Diode  
\
3
Features  
• Fast switching speed  
• High conductance  
1
2
• Surface mount package ideally suited for auto-  
matic insertion  
17435  
• Connected in series  
Marking: KJE, JE  
Packaging Codes/Options:  
Mechanical Data  
Case: SOT-23 Plastic Package  
E8/10 K per 13" reel (8 mm tape), 30 K/box  
E9/3K per 7" reel (8 mm tape), 30 K/box  
Weight: approx. 8 mg  
Parts Table  
Part  
Type differentiation  
Dual Serial  
Ordering code  
BAV99-GS08  
Marking  
Remarks  
Package  
SOT-23  
BAV99  
JE  
Tape and Reel  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
VRM  
Value  
Unit  
V
Non repetitive peak reverse voltage  
100  
70  
Repetitive peak reverse voltage = Working  
peak reverse voltage = DC Blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
=
=
V
Peak forward surge current  
Average forward current  
tp = 1s  
IFSM  
IFSM  
IFAV  
1
A
A
tp = 1 µs  
4.5  
150  
half wave rectification with resistive load and  
f ≥ 50 MHz, on ceramic substrate  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
mA  
Forward current  
on ceramic substrate  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
IF  
250  
300  
mA  
Power dissipation  
on ceramic substrate  
Ptot  
mW  
10 mm x 8 mm x 0.7 mm  
Maximum Thermal Resistance  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Junction ambient  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
Unit  
K/W  
on ceramic substrate 10 mm x 8  
mm x 0.7 mm  
430  
Junction and storage temperature  
range  
Tj = Tstg  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number 85718  
Rev. 6, 19-Feb-03  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY
BAV99HDWQ DIODES

获取价格

 		SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY
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BAV99-HE3-08 VISHAY

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BAV99-HE3-18 VISHAY

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