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BAV99L

更新时间： 2024-11-12 22:39:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管开关
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4页 47K
描述
Monolithic Dual Switching Diode

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BAV99L 数据手册

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BAV99LT1  
Preferred Device  
Dual Series  
Switching Diode  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
http://onsemi.com  
ANODE  
CATHODE  
2
MAXIMUM RATINGS (Each Diode)  
Rating  
1
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
3
Reverse Voltage  
V
R
CATHODE/ANODE  
Forward Current  
I
F
215  
500  
70  
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
I
FM(surge)  
V
RRM  
Average Rectified Forward Current (Note 1)  
(averaged over any 20 ms period)  
I
715  
mA  
F(AV)  
3
CASE 318  
SOT−23  
STYLE 11  
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mA  
A
1
FRM  
2
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
2.0  
1.0  
0.5  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 s  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
A7 M  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
D
225  
mW  
FR−5 Board (Note 1) T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
1.8  
mW/°C  
A7 = Device Code  
M = Date Code  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
300  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
mW  
D
Alumina Substrate (Note 2)  
ORDERING INFORMATION  
T = 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
Derate above 25°C  
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
BAV99LT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to  
+150  
stg  
BAV99LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
BAV99LT3  
SOT−23  
10,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
BAV99LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. 3  
BAV99LT1/D  
 
1234

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BAV99L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV99/T3 NXP

类似代替

 0.215A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3
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 Monolithic Dual Switching Diode

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BAV99L99Z TI

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 		0.2A, 70V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
BAV99L-AE3-R DIOTEC

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 		HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST DIODE
BAV99L-AE3-R UTC

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 		HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST DIODE
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