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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV99LT1G
BAV99LT1G PDF预览

BAV99LT1G

更新时间： 2024-09-22 21:54:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
Monolithic Dual Switching Diode

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BAV99LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.06
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.215 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAV99LT1G 数据手册

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BAV99LT1  
Preferred Device  
Dual Series  
Switching Diode  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
http://onsemi.com  
ANODE  
CATHODE  
2
MAXIMUM RATINGS (Each Diode)  
Rating  
1
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
3
Reverse Voltage  
V
R
CATHODE/ANODE  
Forward Current  
I
F
215  
500  
70  
Peak Forward Surge Current  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
I
FM(surge)  
V
RRM  
Average Rectified Forward Current (Note 1)  
(averaged over any 20 ms period)  
I
715  
mA  
F(AV)  
3
CASE 318  
SOT−23  
STYLE 11  
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mA  
A
1
FRM  
2
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
2.0  
1.0  
0.5  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 s  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
A7 M  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation  
P
D
225  
mW  
FR−5 Board (Note 1) T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
1.8  
mW/°C  
A7 = Device Code  
M = Date Code  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
556  
300  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
mW  
D
Alumina Substrate (Note 2)  
ORDERING INFORMATION  
T = 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
Derate above 25°C  
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
BAV99LT1  
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to  
+150  
stg  
BAV99LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
BAV99LT3  
SOT−23  
10,000/Tape & Reel  
10,000/Tape & Reel  
BAV99LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
September, 2004 − Rev. 3  
BAV99LT1/D  
 
1234

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