Datasheet > BAV70LT1

BAV70LT1

更新时间： 2024-02-06 20:14:01

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAV70LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.43
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.006 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAV70LT1

Switching Diode

FEATURES

Power dissipation, P_D:225 mW (Tamb=25℃)

Forward Current, I_F:200 mA

Reverse Voltage, V_R:70V

Operating and storage junction temperature range:

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

SOT-23 Plastic-Encapsulate package

Device Making: A4

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Note: Unless otherwise specified, these specifications apply over the operating ambient

temperature of 25℃.

12/20/2006 Rev. 1.00

www.SiliconStandard.com

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV70LT1/D	ETC	获取价格	Monolithic Dual Common Cathode Switching Diode
BAV70LT1_07	ONSEMI	获取价格	Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70LT1D	ONSEMI	获取价格	Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70LT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70LT3	ONSEMI	获取价格	Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70LT3G	ONSEMI	获取价格	Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70M	DIOTEC	获取价格	High-speed switching diodes
BAV70M	NXP	获取价格	High-speed switching diodes
BAV70M	NEXPERIA	获取价格	High-speed switching diodeProduction
BAV70M	MCC	获取价格	Tape&Reel: 8Kpcs/Reel,;