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BAV70DW-TP PDF预览

BAV70DW-TP

更新时间： 2024-11-18 20:04:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 277K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6

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BAV70DW-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.28配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.004 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAV70DW-TP 数据手册

 浏览型号BAV70DW-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV70DW-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
BAV70DW  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
Fast switching speed  
200mW  
Switching Diodes  
75 Volts  
Ultra-Small surface mount package  
For general purpose switching applications  
High conductance  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Mechanical Data  
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
SOT-363  
x
Marking Code: KJA  
G
•
·
·
MSL Rating 1  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
C
B
A
H
Maximum Ratings  
Symbol  
VRM  
Rating  
Rating  
100  
Unit  
V
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
M
K
VRRM  
VRWM  
VR  
J
75  
V
D
L
VR(RMS)  
IFM  
IO  
RMS Reverse Voltage  
53  
300  
150  
V
mA  
mA  
Forward Continuous Current  
Average Rectified Output Current  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
@ t=1.0us  
DIMENSIONS  
IFSM  
2.0  
1.0  
A
INCHES  
MM  
@ t=1.0s  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
PD  
RJA  
Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
200  
625  
mW  
R/W  
R
B
C
D
G
H
J
TJ  
Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
.026  
0.65Nominal  
TSTG  
Storage Temperature  
R
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
---  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
Symbol  
Parameter  
Reverse Breakdown Voltage  
(IR=2.5IAdc)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
L
M
V(BR)R  
75  
---  
---  
V
Forward Voltage (1)  
IF=1.0mAdc  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
0.715  
0.855  
1.0  
VF  
IF=10mAdc  
IF=50mAdc  
V
IF=150mAdc  
1.25  
Leakage Current (1)  
(VR=75Vdc)  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
2.5  
50  
30  
25  
uA  
uA  
uA  
nA  
(VR=75Vdc, Tj=150R)  
(VR=25Vdc, Tj=150R)  
(VR=20Vdc)  
IR  
Junction Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
Reverse Recovery Time  
(IF=10mA, IR=10mA, Irr=0.1 x IR  
RL=100OHMS)  
Cj  
trr  
---  
---  
2.0  
pF  
---  
---  
4.0  
ns  
*(1) Short duration test pulse to minimize self-heating effect.  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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与BAV70DW-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV70DW-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 4 Element, 0.075A, 75V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT,
BAV70DXV6T1 ONSEMI

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 		Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70DXV6T1/D ETC

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 		Common Cathode Switching Diode
BAV70DXV6T1G ONSEMI

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 		Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode
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 		小信号开关二极管
BAV70-E3-08 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
BAV70-E3-18 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
BAV70E6327 ROCHESTER

获取价格

 		0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-23, 3 PIN

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