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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAV70DXV6T1G
BAV70DXV6T1G PDF预览

BAV70DXV6T1G

更新时间： 2024-11-18 04:08:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode

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BAV70DXV6T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.37
配置：2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.006 µs反向测试电压：70 V
子类别：Signal Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAV70DXV6T1G 数据手册

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BAV70DXV6T1,  
BAV70DXV6T5  
Preferred Device  
Monolithic Dual Switching  
Diode Common Cathode  
Features  
http://onsemi.com  
• These are Pb−Free Devices  
ANODE  
1
6
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
CATHODE  
2
ANODE  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
5
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
ANODE  
3
I
200  
500  
mAdc  
mAdc  
F
CATHODE  
4
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
ANODE  
BAV70DXV6T1  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
SOT−563  
CASE 463A  
PLASTIC  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
357  
(Note 1)  
2.9  
mW  
A
D
1
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
ꢀ
JA  
350  
(Note 1)  
MARKING DIAGRAM  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
A4 M G  
G
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
500  
(Note 1)  
4.0  
mW  
A
D
1
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
A4 = Specific Device Code  
(Note 1)  
M
G
= Month Code  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
ꢀ
JA  
250  
(Note 1)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 @ Minimum Pad  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAV70DXV6T1  
SOT−563* 4000/Tape & Reel  
BAV70DXV6T1G SOT−563* 4000/Tape & Reel  
BAV70DXV6T5 SOT−563* 8000/Tape & Reel  
BAV70DXV6T5G SOT−563* 8000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*These packages are inherently Pb−Free.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 2  
BAV70DXV6T1/D  
 
12345678

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BAV70DXV6T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAV70DXV6T5 ONSEMI

完全替代

 Monolithic Dual Switching Diode Common Cathode
BAV70DXV6T1 ONSEMI

完全替代

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