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BAV70-E3-08

更新时间： 2024-11-18 20:42:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	90K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BAV70-E3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	0.79
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.715 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.5 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.35 W
最大重复峰值反向电压：	70 V	最大反向恢复时间：	0.006 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV70-E3-08 数据手册

BAV70

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Small Signal Switching Diode, Dual

FEATURES

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Fast switching dual diode with common cathode

• AEC-Q101 qualified

• Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial

grade

• Base P/N-HE3 - RoHS-compliant, AEC-Q101

qualified

18108

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

MECHANICAL DATA

Case: SOT-23



Weight: approx. 8.8 mg

Packaging codes/options:

18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box

08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box

PARTS TABLE

PART

ORDERING CODE

INTERNAL CONSTRUCTION

TYPE MARKING

REMARKS

BAV70-E3-08 or BAV70-E3-18

BAV70

Dual diodes common cathode

Tape and reel

BAV70-HE3-08 or BAV70-HE3-18

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

V_RRM

V_R

VALUE

UNIT

Peak reverse voltage

Reverse voltage

Forward current (continuous)

I_F

250

t_p= 1 μs

t_p= 1 ms

t_p= 1 s

I_FSM

P_tot

Non repetitive peak forward current

Power dissipation ⁽¹⁾

0.5

350

Note

(1)

Device on fiberglass substrate

THERMAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Thermal resistance junction to ambient air ⁽¹⁾

TEST CONDITION

SYMBOL

R_thJA

T_j

VALUE

430

UNIT

K/W

°C

Junction temperature

150

Storage temperature range

Operating temperature range

T_stg

- 65 to + 150

- 55 to + 150

°C

T_op

°C

Note

(1)

Device on fiberglass substrate

Rev. 2.0, 16-May-13

Document Number: 85546

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与BAV70-E3-08相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV70-E3-18	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.25A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
BAV70E6327	ROCHESTER	获取价格	0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SOT-23, 3 PIN
BAV70E6327	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAV70E6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAV70E6419	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
BAV70E6433	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAV70E6433HTMA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAV70E6767	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN
BAV70F	INFINEON	获取价格	Silicon Switching Diode
BAV70FN3	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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