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BAV302

更新时间： 2024-02-09 17:04:19
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
Switching Diode

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BAV302 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：0.25 A最大重复峰值反向电压：200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BAV302 数据手册

 浏览型号BAV302的Datasheet PDF文件第2页 
BAV300 / 301 / 302 / 303  
Switching Diode  
Features  
ꢀ Silicon Epitaxial Planar Diodes  
ꢀ Saving space  
ꢀ Hermetic sealed parts  
ꢀ Fits onto SOD 323 / SOT 23 footprints  
ꢀ Electrical data identical with the devices  
BAV100...BAV103 / BAV200...BAV203  
Applications  
ꢀ General purposes  
Mechanical Data  
ꢀ Case: MicroMELF Glass Case  
ꢀ Weight: approx. 12 mg  
ꢀ Cathode Band Color: Black  
ꢁAbsolute Maximum Ratings  
( Tamb=25oC unless otherwise specified )  
Parameter  
Test Condition  
Part  
Symbol  
VRRM  
VRRM  
VRRM  
VRRM  
VR  
Value  
60  
Unit  
V
Peak reverse voltage  
BAV300  
BAV301  
BAV302  
BAV303  
BAV300  
BAV301  
BAV302  
BAV303  
120  
200  
250  
50  
V
V
V
Reverse voltage  
V
VR  
100  
150  
200  
250  
1
V
VR  
V
VR  
V
mA  
A
Forward current  
IF  
Peak forward surge current  
Forward peak current  
tp= 1 s, T=25oC  
IFSM  
j
mA  
f=50Hz  
IFM  
625  
ꢁThermal Characteristics  
( Tamb=25oC unless otherwise specified )  
Parameter  
Test Condition  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction ambient  
mounted on epoxy-glass  
hard tissue, Fig 4.  
RthJA  
500  
K/W  
35 um copper clad, 0.9m2  
copper area per electrode  
oC  
oC  
Junction temperature  
T
175  
j
Stroage temperature range  
Tstg  
-65 to +175  
ꢁElectrical Characteristics  
( Tamb=25oC unless otherwise specified )  
Parameter  
Test Condition  
Part  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Unit  
V
Forward voltage  
Reverse current  
IF=100mA  
VR=50V  
VF  
IR  
nA  
nA  
nA  
nA  
uA  
uA  
uA  
uA  
V
BAV300  
BAV301  
BAV302  
BAV303  
BAV300  
BAV301  
BAV302  
BAV303  
BAV300  
BAV301  
BAV302  
BAV303  
100  
100  
100  
100  
15  
VR=100V  
VR=150V  
VR=200V  
IR  
IR  
IR  
T=100oC, VR=50V  
T=100oC, VR=100V  
T=100oC, VR=150V  
T=100oC, VR=200V  
IR  
j
IR  
15  
j
IR  
15  
j
IR  
15  
j
Breakdown voltage  
IR=100uA, tp/T=0.01, tp=0.3ms  
IR=100uA, tp/T=0.01, tp=0.3ms  
IR=100uA, tp/T=0.01, tp=0.3ms  
IR=100uA, tp/T=0.01, tp=0.3ms  
VR=0, f=1MHz  
V(BR)  
V(BR)  
V(BR)  
V(BR)  
CD  
rf  
60  
V
120  
200  
250  
V
V
pF  
Ω
Diode capacitance  
1.5  
5
Differential forward resistance  
Reverse recovery time  
IF=10mA  
ns  
IF=IR=30mA, iR=3mA, RL=100Ω  
trr  
50  
654  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV302-GS08 VISHAY

获取价格

 		DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MICROMELF-2, Signal Di
BAV302-GS18 VISHAY

获取价格

 		DIODE 0.25 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MICROMELF-2, Signal Di
BAV302P MCC

获取价格

 		DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, MICROMELF-2, Signal Diode
BAV302-T MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,
BAV302TR VISHAY

获取价格

 		暂无描述
BAV302-TR VISHAY

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 		Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV302TR3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, GLASS, MICROMELF-2
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