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BAV21WS

更新时间： 2024-11-17 22:48:11

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德欧泰克 - DIOTEC		信号二极管
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Surface mount Small Signal Diodes

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BAV21WS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BAV21WS 数据手册

BAV19WS ... BAV21WS

Small Signal Si-Diodes

Surface mount Small Signal Diodes

Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2004-04-09

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

1.7

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

120...250 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOD-323

0.005 g

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

2.5^±0.2

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS

Power dissipation – Verlustleistung

P_tot

I_FAV

I_FRM

200 mW ¹)

Max. average forward current (dc)

Dauergrenzstrom

200 mA ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

625 mA ¹)

Peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

t_p≤ 1 s

t_p≤ 1 µs

I_FSM

1 A

2.5 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

V_RRM

120 V

200 V

250 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

150°C

T_S

- 55…+ 150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Forward voltage ²)

Durchlaßspannung

I_F= 100 mA V_F

I_F= 200 mA V_F

< 1 V

< 1.25 V

Leakage current ²)

Sperrstrom

BAV19WS

T_j= 25°C BAV20WS

BAV21WS

V_R= 100 V

V_R= 150 V

V_R= 200 V

I_R

< 100 nA

< 15 µA

BAV19WS

T_j= 150°C BAV20WS

BAV21WS

V_R= 100 V

V_R= 150 V

V_R= 200 V

I_R

¹) Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

²) Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

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BAV21WS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAV21WS-GS08	VISHAY	功能相似	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
BAV21WS-V-GS18	VISHAY	功能相似	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
HSU83	HITACHI	功能相似	Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching

与BAV21WS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV21WS(LS)	DIODES	获取价格	SwitchingDiodes
BAV21WS-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
BAV21WS-7	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV21WS-7-F	WTE	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV21WS-7-F	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
BAV21WS-AH	SWST	获取价格	小信号开关二极管
BAV21WS-AU	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
BAV21WS-BL-AH	SWST	获取价格	小信号开关二极管
BAV21WS-E3-08	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
BAV21WS-E3-18	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

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