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BAV21WS

更新时间： 2024-11-18 20:16:39

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固锝 - GOOD-ARK		/
页数	文件大小	规格书
3页	396K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon,

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BAV21WS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	250 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAV21WS 数据手册

BAV19WS thru BAV21WS

Switching Diode

Features

§ Small signal switching diode

§ For general purpose

§ RoHS compliant

Package: SOD-323

Absolute Maximum Ratings

(T_A=25°C unless otherwise noted）

Parameter

Symbol

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

120

200

250

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_RWM

V_R

100

150

200

141

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

106

400

200

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

I_FM

I_O

2.5 @t=1.0ms

0.5 @t=1.0s

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

I_FSM

Power Dissipation

P_D

R_θJA

200

500

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-65 to +150

Electrical Characteristics

(T_A=25°C unless otherwise noted）

Parameter

Symbol

Test Condition

Rating

Unit

Min

120

200

250

Max

BAV19WS

BAV20WS

Reverse Breakdown Voltage

Forward Voltage

V_(BR)R

IR=100uA

BAV21WS

IF=100mA

1.0

1.25

100

V_FM

I_RM

t_rr

I^F=200mA

Peak Reverse Current

@ Rated DC Blocking Voltage

TJ=25°C

VR=VRWM

TJ=100°C

IF=IR=30mA,

Reverse Recovery Time

Total Capacitance

Irr=0.1хIR , Rl=100Ω

5.0

V^R=0 ,f=1.0MHz

C_T

1/3

12 3

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