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BAV21WS

更新时间： 2024-01-05 12:36:15

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WTE		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	232K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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BAV21WS 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.58	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BAV21WS 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Diode BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS

FEATURES

Lead-free

Fast Switching Speed.

Surface Mount Package Ideally Suited For

Automatic Insertion

For General Purpose Switching Applications

High Conductance

APPLICATIONS

SOD-323

Surface mount fast switching diode

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

SOD-323

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Symbol BAV19WS BAV20WS BAV21WS Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Reverse Voltage

V_RRM

V_RWM

V_R

120

200

150

106

250

200

141

100

RMS Reverse Voltage

V_R(RMS)

I_FM

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

400

200

I_o

@t=1.0 μs I_FSM

@t=1.0 s

Repetitive Peak Forward Surge Current

2.5

0.5

I_FRM

625

℃/W

℃

Power Dissipation

P_d

200

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Operating and Storage Temperature Rage

R_θJA

T_j,T_STG

625

-65 to+150

Document number: BL/SSSDB018

Rev.A

www.galaxycn.com

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