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BAV19WS

更新时间： 2024-01-15 20:55:02

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商升特 - SEMTECH		二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	312K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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BAV19WS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.59
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BAV19WS 数据手册

BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

Features

PINNING

• Fast Switching Speed

DESCRIPTION

Cathode

• Surface Mount Package Ideally Suited for

automatic Insertion

Anode

• For General Purpose Switching Applications

• High Conductance

Top View

Marking Code: WO

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_RRM

Value

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

BAV19WS

120

200

250

100

150

200

BAV20WS

BAV21WS

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

Reverse Voltage

V_R

Average Rectified Output Current

Forward Continuous Current

I_O

200

400

625

I_FM

Repetitive Peak Forward Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

I_FRM

at t = 1 μs

2.5

0.5

I_FSM

at t = 1 s

Power Dissipation

P_tot

200

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 100 μA

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

120

200

250

V_(BR)R

Reverse Current

at V_R= 100 V

at V_R= 150 V

BAV19WS

BAV20WS

BAV21WS

100

I_R

at V_R= 200 V

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

at I_F= 200 mA

Total Capacitance

at f = 1 MHz

V_F

1.25

C_T

t_rr

Reverse Recovery Time

at I_F= I_R= 30 mA, I_RR= 0.1 X I_R, R_L= 100 Ω

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 07/04/2009

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