BAT54DW

更新时间： 2024-11-27 23:16:19

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAT54DW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大功率耗散：	0.2 W	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向电流：	2 µA	最大反向恢复时间：	0.005 µs
反向测试电压：	25 V	子类别：	Other Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BAT54DW 数据手册

BAT54DW

DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

Low Forward Voltage Drop

Fast Switching

Ultra-Small Surface Mount Package

PN Junction Guard Ring for Transient and

ESD Protection

SOT-363

Dim

Min

0.10

1.15

2.00

Max

0.30

1.35

2.20

TOP VIEW

Mechanical Data

0.65 Nominal

0.30

1.80

0.40

2.20

0.10

1.00

0.40

0.25

8°

Case: SOT-363, Molded Plastic

Case material - UL Flammability Rating 94V-0

Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

0.90

0.25

0.10

0°

C₁

A₂

Terminal Connections: See Diagram

Marking: KLD (See Page 2)

Weight: 0.006 grams (approx.)

All Dimensions in mm

A₁

C₂

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

Value

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

I_O

I_F

Average Rectified Forward Current

Forward Continuous Current (Note 1)

Repetitive Peak Forward Current (Note 1)

Forward Surge Current (Note 1)

Power Dissipation (Note 1)

100

200

I_FRM

I_FSM

P_d

300

600

@ t < 1.0s

200

°C/W

°C

R_qJA

T_j, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

625

-65 to +125

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

V_(BR)R

Reverse Breakdown Voltage (Note 2)

I_RS= 100mA

I_F= 0.1mA

240

320

400

500

I_F= 1mA

I_F= 10mA

I_F= 30mA

I_F= 100mA

Forward Voltage (Note 2)

V_F

1000

V_R= 25V

I_R

Reverse Leakage Current (Note 2)

Total Capacitance

2.0

V_R= 1.0V, f = 1.0MHz

C_T

I_F= 10mA through I_R= 10mA

to I_R= 1.0mA, R_L= 100W

t_rr

Reverse Recovery Time

5.0

Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout

document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.

2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.

DS30107 Rev. 3 - 2

1 of 2

BAT54DW

www.diodes.com

中文翻译

下载PDF

与BAT54DW相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT54DW_08	DIODES	获取价格	DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54DW_1	DIODES	获取价格	DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54DW_15	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODES
BAT54DW_R1_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS
BAT54DW_R2_00001	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODE ARRAYS
BAT54DW-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 30V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACK
BAT54DW-7	DIODES	获取价格	DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54DW-7-F	DIODES	获取价格	DUAL SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54DWG-AL6-R	UTC	获取价格	SCHOTTKY BARRIER (DUAL) DIODES
BAT54DWGP	CHENMKO	获取价格	Diode,

与BAT54DW相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

37
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

65
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54DW

BAT54DW 技术参数

BAT54DW 数据手册

与BAT54DW相关器件

与BAT54DW相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT54DW

BAT54DW 技术参数

BAT54DW 数据手册

与BAT54DW相关器件

与BAT54DW相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？