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BAS40DW-04 PDF预览

BAS40DW-04

更新时间： 2024-11-19 22:07:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS

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BAS40DW-04 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.35配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：40 V最大反向电流：0.2 µA
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Other Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

BAS40DW-04 数据手册

  
BAS40TW /DW-04 /DW-05 /  
DW-06 /BRW  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS  
Features  
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
SOT-363  
Fast Switching  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
A
Ultra-Small Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
B
Marking  
C
Indicates  
Orientation  
C
B
KXX  
D
0.65 Nominal  
Mechanical Data  
E
0.30  
1.80  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
·
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
G
H
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
H
J
K
J
·
·
Polarity: See Diagrams Below  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
M
K
0.90  
0.25  
0.10  
L
M
L
D
F
All Dimensions in mm  
AC  
C1  
1
AC  
C2  
A1  
C2  
A2  
A2  
C3  
C1  
A2  
C2  
C1  
C2  
C2  
1
AC  
2
AC  
2
A2  
A1  
A2  
A3  
C1  
C1  
C2  
A1  
A1  
A1  
C1  
A2  
A1  
BAS40DW-04  
Marking: K44  
BAS40DW-05  
Marking: K45  
BAS40TW  
Marking: K43  
BAS40DW-06  
Marking: K46  
BAS40BRW  
Marking: K47  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
IFM  
IFSM  
Pd  
RMS Reverse Voltage  
28  
V
200  
600  
200  
625  
mA  
mA  
mW  
K/W  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t < 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
-55 to +125  
-65 to +125  
Tj,  
TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
380  
1000  
mV  
mV  
IF = 1.0mA, tp < 300ms  
IF = 40mA, tp < 300ms  
Maximum Forward Voltage  
¾
VFM  
IRM  
Cj  
VR = 30V  
Maximum Peak Reverse Current  
Junction Capacitance  
¾
¾
200  
5.0  
nA  
pF  
VR = 0, f = 1.0MHz  
IF = IR = 10mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. Valid Provided that terminals are kept at ambient temperature.  
DS30156 Rev. D-1  
1 of 1  
BAS40TW /DW-04 /DW-05 /DW-06 /BRW  
1

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与BAS40DW-04相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS40DW-04-13 DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACK
BAS40DW-04-7 DIODES

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 		暂无描述
BAS40DW-04-7-F DIODES

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS
BAS40DW-04P MCC

获取价格

 		DIODE 0.2 A, 40 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6, Signa
BAS40DW-04-T MCC

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 		Diode,
BAS40DW-05 MCC

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 		200mW SCHOTTKY BARRIER Diode
BAS40DW-05 DIODES

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BAS40DW-05 BL Galaxy Electrical

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 		0.2A,40V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
BAS40DW-05 RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Forward Voltage Vf : 1.0 V;Reverse Cu
BAS40DW-05-13 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACK

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