是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | MELF | 包装说明: | O-LELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 3.34 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 2 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向电流: | 5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS32L,135 | ETC |
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DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD80 | |
BAS32L/S | NXP |
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DIODE 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
BAS32L/T1 | ETC |
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DIODE SWITCHING | |
BAS32L/T3 | NXP |
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DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | |
BAS32L_05 | NXP |
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High-speed switching diode | |
BAS32L_08 | NXP |
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High-speed switching diode | |
BAS32L-T | NXP |
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0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | |
BAS32LT/R | NXP |
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DIODE 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | |
BAS32LTRL | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon | |
BAS32LTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |