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BAR63J

更新时间: 2024-11-25 21:19:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 244K
描述
50V, SILICON, PIN DIODE

BAR63J 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.57
应用:SWITCHING最小击穿电压:50 V
配置:SINGLE最大二极管电容:0.3 pF
标称二极管电容:0.4 pF二极管元件材料:SILICON
最大二极管正向电阻:2 Ω二极管电阻测试电流:5 mA
二极管电阻测试频率:100 MHz二极管类型:PIN DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e3
少数载流子标称寿命:0.125 µs元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
反向测试电压:子类别:PIN Diodes
表面贴装:YES技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BAR63J 数据手册

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BAR63J  
®
PIN DIODE  
FEATURES AND BENEFITS  
Pin diode for high speed switching of RF signal  
Low forward voltage  
Very low capacitance  
35  
A
K
DESCRIPTION  
Single pin diode in SOD-323 package. This diode  
is intended to be used in mobile phone to switch  
the RF signal.  
SOD-323  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
VR  
Parameter  
Continuous reverse voltage  
Value  
50  
Unit  
V
IF  
Continuous forward current  
Power Dissipation  
100  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
Tstg  
Tj  
Ts < 55°C  
250  
Storage temperature range  
Maximum junction temperature  
Maximum temperature for soldering  
- 65 to +150  
150  
°C  
TL  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
Rth (j-a) Junction to ambient (see note 1)  
550  
°C/W  
Note 1: Epoxy board with recommended pad layout.  
April 2003 - Ed: 2B  
1/4  

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