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BA423AL115

更新时间: 2024-09-16 14:41:03
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
DIODE SILICON, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

BA423AL115 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.82
最小击穿电压:20 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:2.5 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.9 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:50 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.21 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:YES端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

BA423AL115 数据手册

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