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BA158-TB

更新时间： 2024-01-20 12:51:12

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WTE		快速恢复二极管
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3页	50K
描述
1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

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BA158-TB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.61	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BA158-TB 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

BA157 – BA159

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Mechanical Data

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.34 grams (approx.)

Mounting Position: Any

DO-41

Dim

Min

25.4

4.06

0.71

2.00

Max

—

5.21

0.864

2.72

Marking: Type Number

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

BA157

BA158

BA159

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

400

280

600

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

420

1.0

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@T_A= 55°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

1.2

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

5.0

100

µA

At Rated DC Blocking Voltage @T_A= 100°C

Reverse Recovery Time (Note 2)

Typical Junction Capacitance (Note 3)

Operating Temperature Range

t^rr

C^j

150

250

500

°C

T^j

-65 to +125

-65 to +150

Storage Temperature Range

T^STG

*Glass passivated forms are available upon request

Note: 1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case

2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. See figure 5.

3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

BA157 – BA159

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BA158-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
BA158-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,
BA158Z	BL Galaxy Electrical	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIER
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