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BA159

更新时间: 2024-11-20 22:48:07
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德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 195K
描述
Fast Silicon Rectifiers

BA159 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-204包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:0.55Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:35 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.3 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BA159 数据手册

 浏览型号BA159的Datasheet PDF文件第2页 
BA 157 … BA 159  
Fast Silicon Rectifiers  
Schnelle Silizium Gleichrichter  
Nominal current – Nennstrom  
1 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
400…1000 V  
Plastic case  
DO-41  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AL  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse volt.  
Period. Spitzensperrspanng.  
VRRM [V]  
Surge peak reverse volt.  
Stoßspitzensperrspanng.  
VRSM [V]  
Typ. junction capacitance  
Typ. Sperrschichtkapazität  
Ctot [pF] 1)  
BA 157  
BA 158  
BA 159  
400  
600  
400  
600  
2.2  
2.0  
1.8  
1000  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50C  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
1 A 2)  
10 A 2)  
35 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms  
i2t  
Tj  
6 A2s  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
– 50…+150C  
TS – 50…+175C  
1
)
)
Measured at f = 1 Mhz, VR = 4.0 V – Gemessen bei f = 1 Mhz, VR = 4.0 V  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
104  
28.02.2002  

BA159 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UF4007 DIOTEC

类似代替

Ultrafast Switching Si-Rectifiers
1N4001 DIOTEC

类似代替

Silicon Rectifiers
UG1A-E3/73 VISHAY

功能相似

DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, S

与BA159相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BA159(G) LGE

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暂无描述
BA159/100 VISHAY

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