BA159

更新时间： 2024-02-04 10:32:22

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SYNSEMI		整流二极管 IOT 快速恢复二极管
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FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

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BA159 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.25 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BA159 数据手册

FAST RECOVERY

RECTIFIER DIODES

BA157 - BA159

PRV : 400 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

DO - 41

FEATURES :

1.00 (25.4)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.107 (2.7)

MIN.

0.080 (2.0)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

* Fast switching for high efficiency

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

MECHANICAL DATA :

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 0.34 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL

VRRM

BA157

400

BA158

600

BA159

1000

700

UNIT

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRMS

280

420

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current

VDC

400

600

1000

IF(AV)

1.0

0.375"(9.5mm) Lead Length

Peak Forward Surge Current,

Ta = 45 °C

IFSM

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Peak Forward Voltage at IF = 1.0 Amp.

1.3

5.0

100

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

IR(H)

Trr

Ta = 100 °C

Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )

Typical Junction Capacitance ( Note 2 )

Junction Temperature Range

150

250

- 65 to + 150

°C

Storage Temperature Range

TSTG

Notes :

( 1 ) Reverse Recovery Test Conditions : I_F= 0.5 A, I_R= 1.0 A, Irr = 0.25 A.

( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V_DC

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 24, 2005

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BA159/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BA159/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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