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BA159

更新时间： 2024-02-28 01:32:38

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FAST RECOVERY RECTIFIER

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BA159 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.6	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.25 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BA159 数据手册

BA157 THRU BA159

FAST RECOVERY RECTIFIER

Reverse Voltage - 400 to 1000 Volts

Forward Current - 1.0Ampere

CHENYI ELECTRONICS

FEATURES

. Plastic package has Underwrites Laboratory

Flammability Classification 94V-0

. Fast switching speed

. Diffused junction

. High current capability

. High temperature soldering guaranteed: 250 /10 seconds,

0.375"(9.5mm)lead length,5lbs.(2.3kg)tension

MECHANICAL DATA

. Case: JEDEC DO-41 molded plastic body

. Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,method 2026

. Polarity: Color band denotes cathode end

. Mounting Position: Any

. Weight: 0.012 ounce, 0.33 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified,Single phase,half wave 60Hz,resistive or inductive)

load. For capacitive load,derate current by 20%)

Symbols

VRRM

BA157

400

BY158

600

BA159

1000

700

Units

Volts

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

VRMS

280

420

Maximum DC blocking voltage

VDC

400

600

100

Macimum average forward rectified

current 0.375"(9.5mm)lead length at TA=75

Peak forward surge current 8.3ms

sing-wave superimposed on rated load

(JEDEC method)TA=75

I(AV)

IFSM

1.0

Amp

35.0

Amps

1.3

5.0

Maximum instantaneous forward voltage at 1.0 A

Maximum DC Rreverse Current at rated DC

blocking voltage TA=25

Volts

Trr

150

250

Maximum reverse recovery time(Note 1)

Maximum thermal resistance

6.0

TJ TSTG

Typical junction Capacitance(Note 2)

Operating and storage temperature range

-65 to +125

Notes: 1.Test conditions:IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A.

2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V Volts

Page 1 of 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BA159(G)	LGE	获取价格	暂无描述
BA159/100	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BA159/4E	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BA159/4F	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
BA159/4G	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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