Datasheet > BA158-TB

BA158-TB

更新时间： 2024-01-02 08:39:28

品牌	Logo	应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical		二极管快恢复二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	66K
描述
1.0A FAST RECOVERY DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BA158-TB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.61	其他特性：	FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.15 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

BA158-TB 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

BA157(Z)- - - BA159(Z)

VOLTAGE RANGE: 400 --- 1000 V

CURRENT: 1.0 A

FAST RECOVERY RECTIFIER

FEATURES

Low cost

DO - 41

Diffused junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol

and similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO-41,molded plastic

Terminals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-750,Method 2026

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.012 ounces,0.34 grams

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.

BA157

BA158

BA159D

BA159

UNITS

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum DC blocking voltage

1000

Maximum average forw ard rectified current

1.0

I_F(AV)

9.5mm lead length,

@T_A=75

Peak forw ard surge current

8.3ms single half-sine-w ave

I_FSM

30.0

superimposed on rated load @T_J=125

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ 1.0 A

1.3

V_F

I_R

Maximum reverse current

@T_A=25

5.0

100.0

300

at rated DC blocking voltage @T_A=100

Maximum reverse recovery time (Note1)

t_rr

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

C_J

R_θ

- 55---- +150

- 55---- + 150

Operating junction temperature range

T_J

Storage temperature range

T_STG

NOTE: 1.Measured with I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A.

2.Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.

3.Thermal resistance f rom junction to ambient.

www.galaxycn.com

Document Number 0261035

BLGALAXY ELECTRICAL

中文翻译

下载PDF

与BA158-TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BA158-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
BA158-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41,
BA158Z	BL Galaxy Electrical	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIER
BA159	DIOTEC	获取价格	Fast Silicon Rectifiers
BA159	SEMIKRON	获取价格	Fast silicon rectifier diodes
BA159	SYNSEMI	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
BA159	SHUNYE	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIERS
BA159	JINANJINGHENG	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIER
BA159	HY	获取价格	FAST RECOVERY RECTIFIERS
BA159	MIC	获取价格	FAST RECOVER RECTIFIER