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B350B-E3/52T

更新时间： 2024-09-17 22:04:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
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4页 87K
描述
DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA

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B350B-E3/52T 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.59 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

B350B-E3/52T 数据手册

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B350B, B360B  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Surface-Mount Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMB (DO-214AA)  
Cathode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES  
TYPICAL APPLICATIONS  
3
D
3
D
For use in low voltage, high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
3D Models  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
Case: SMB (DO-214AA)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
IF(AV)  
3.0 A  
50 V, 60 V  
60 A  
VRRM  
IFSM  
VF at IF = 3.0 A  
TJ max.  
0.51 V  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
150 °C  
Package  
SMB (DO-214AA)  
Single  
Circuit configurations  
Polarity: color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
B350B  
B35  
B360B  
B36  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current at TL (fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
50  
60  
V
A
3.0  
60  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
0.58  
0.51  
-
MAX.  
UNIT  
TJ = 25 °C  
0.66  
0.59  
100  
10  
(1)  
Maximum instantaneous forward voltage IF = 3.0 A  
Maximum reverse current Rated VR  
VF  
V
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
μA  
(2)  
IR  
3
mA  
Notes  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms  
(2)  
Revision: 08-Mar-2021  
Document Number: 89122  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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B350B-E3/52T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
B350B-E3/5BT VISHAY

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 DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B350B-E3/5BT VISHAY

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