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B0530W

更新时间： 2024-10-05 14:55:55

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江苏长电/长晶 - CJ		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	1767K
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SOD-123

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B0530W 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.375 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	5.5 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.5 W
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

B0530W 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes

B0530W

SOD-123

SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES

ꢀ

Low Forward Voltage Drop

Guard Ring Construction for Transient Protection

High Conductance

Also Available in Lead Free Version

MARKING:SE

The marking bar indicates the cathode

Solid dot = Green molding compound device.

Maximum Ratings @Ta=25℃

Parameter

Peak repetitive peak reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

Symbo

V_RRM

V_RWM

V_R

Value

Unit

RMS reverse voltage reverse voltage (DC)

Average rectified output current

V_R(RMS)

I_o

0.5

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

@t=8.3ms

I_FSM

5.5

Power dissipation

P_D

R_θJA

T_j

500

℃/W

℃

V/μs

200

Thermal resistance junction to ambient

Operating Junction Temperature Range

-40 ~ +125

-55 ~ +150

1000

Storage Temperature Range

T_STG

dv/dt

Voltage rate of change

Electrical Characteristics @Ta=25℃

Min

Typ

Symbol

V_(BR)

Test conditions

I_R=200uA

Max

Unit

Reverse breakdown voltage

Reverse current

I_F

_R=15V

I_R

_R=30V

130

0.375

0.430

=0.1A

=0.5A

Forward voltage

V_F

170

Capacitance between terminals

C_T

V_R=1,f=1MHz

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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