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B0530WRH

更新时间： 2024-02-17 06:45:03

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TSC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	83K
描述
410mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode

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B0530WRH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

B0530WRH 数据手册

B0520LW,B0530W,B0540W

410mW, Low V^FSMD Schottky Barrier Diode

Small Signal Diode

SOD-123

Features

Low power loss, high current capability, low V^F

Surface device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate

Pb free version and RoHS compliant

Green compound (Halogen free) with suffix "G" on

packing code and prefix "G" on date code

Unit (mm)

Unit (inch)

Min Max

0.059 0.067

Dimensions

Min

1.50

3.55

0.45

2.60

1.05

0.08

Max

Mechanical Data

Case : SOD-123 small outline plastic package

1.70

3.85 0.140 0.152

0.65 0.018 0.026

Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s

Polarity : Indicated by cathode band

2.80

1.25

0.15

0.102 0.11

0.041 0.049

0.003 0.006

0.50 REF

Weight :0.01 gram (approximately)

0.02 REF

Ordering Information

Part No.

Packing

Package

SOD-123

B05xxW RH

3 Kpcs / 7" Reel

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

P^D

B0520LW

B0530W

B0540W

Units

Power Dissipation

410

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V^RRM

Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

IFRM

500

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 2)

Junction and Storage Temperature Range

I^FSM

5.5

RθJA

T^J, TSTG

244

°C/W

°C

-65 to + 125

Electrical Characteristics

Type Number

Symbol

B0520LW

B0530W

B0540W

Units

IR= 250μA

Reverse Breakdown Voltage

V^(BR)

I^R= 130μA

I^R= 20μA

I =

0.300

0.375

100mA Tj=25°C

500mA Tj=25°C

1000mA Tj=25°C

100mA Tj=100°C

500mA Tj=100°C

1000mA Tj=100°C

I =

0.385

0.430

0.510

I =

0.620

Forward Voltage

V^F

I =

0.220

I =

0.330

0.460

I =

0.610

VR= 10V

V^R= 15V

V^R= 20V

V^R= 30V

V^R= 40V

V^R= 10V

V^R= 20V

V^R= 40V

Tj=25°C

Tj=100°C

250

μA

130

Reverse Leakage Current

Junction Capacitance

I^R

5,0

8.0

5.0

V^R=0V, f=1.0MHz

170

Notes:1. Test Condition : 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)

Notes:2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Version : C09

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
B0530WRHG	TSC	获取价格	410mW, Low VF SMD Schottky Barrier Diode
B0530WS	LGE	获取价格	Schottky Barrier Diode
B0530WS	TYSEMI	获取价格	Very Low Forward Voltage Drop, Guard Ring Construction for Transient Protection
B0530WS	TSC	获取价格	0.5A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
B0530WS	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
B0530WS	MCC	获取价格	0.5 Amp Schottky Rectifier 30 Volts
B0530WS	HTSEMI	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
B0530WS	KEXIN	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
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