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AT52BC3221AT-70CI

更新时间： 2024-09-24 08:38:31

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爱特美尔 - ATMEL		闪存存储内存集成电路静态存储器异步传输模式 ATM
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32-Mbit Flash + 8-Mbit PSRAM Stack Memory

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AT52BC3221AT-70CI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	其他特性：	PSRAM IS ORGANISED AS 512K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	长度：	10 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AT52BC3221AT-70CI 数据手册

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Features

• 32-Mbit Flash and 4-Mbit/8-Mbit PSRAM

• Single 66-ball (8 mm x 10 mm x 1.2 mm) CBGA Package

• 2.7V to 3.3V Operating Voltage

Flash

• 32-megabit (2M x 16)

• 2.7V to 3.3V Read/Write

• Access Time – 70 ns

• Sector Erase Architecture

– Sixty-three 32K Word Sectors with Individual Write Lockout

– Eight 4K Word Sectors with Individual Write Lockout

• Fast Word Program Time – 15 µs

• Suspend/Resume Feature for Erase and Program

– Supports Reading and Programming from Any Sector by Suspending Erase of a

Different Sector

32-Mbit Flash +

8-Mbit PSRAM

Stack Memory

– Supports Reading Any Word by Suspending Programming of Any Other Word

• Low-power Operation

– 12 mA Active

AT52BC3221A

AT52BC3221AT

– 13 µA Standby

• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection

• VPP Pin for Write Protection and Accelerated Program/Erase Operations

• RESET Input for Device Initialization

• Sector Lockdown Support

• Top or Bottom Boot Block Configuration Available

• 128-bit Protection Register

• Minimum 100,000 Erase Cycles

Preliminary

PSRAM

• 8-megabit (512K x 16)

• 2.7V to 3.3V V_CC

• 70 ns Access Time

• Extended Temperature Range

• ISB0 < 10 µA when Deep Power-Down

Flash Boot

Location

Flash Plane

Configuration

PSRAM

Configuration

Device Number

AT52BC3221A

AT52BC3221AT

Bottom

Top

32M (2M x 16)

8M (512K x 16)

Rev. 3466A–STKD–11/04

12 3 4 5 6 7...36

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