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AT52BR1662A-90CI

更新时间： 2024-02-03 13:05:32

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美国微芯 - MICROCHIP		/
页数	文件大小	规格书
42页	339K
描述
Memory Circuit, 1MX16, PBGA66

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AT52BR1662A-90CI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	10 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, CBGA-66	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.71
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B66	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA66,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0003 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AT52BR1662A-90CI 数据手册

Features

• 16-Mbit (x16) Flash and 2-megabit/4-megabit SRAM

• 2.7V to 3.3V Operating Voltage

• Low Operating Power

– 40 mA Operating Current (Maximum)

– 35 µA Standby Current (Maximum)

• Industrial Temperature Range

Flash

• 2.7V to 3.3V Read/Write

• Access Time – 70 ns, 90 ns

• Sector Erase Architecture

– Thirty-one 32K Word (64K Byte) Sectors with Individual Write Lockout

– Eight 4K Word (8K Byte) Sectors with Individual Write Lockout

• Fast Word Program Time – 12 µs

16-megabit

Flash +

2-megabit/

4-megabit

SRAM Stack

Memory

• Fast Sector Erase Time – 300 ms

• Suspend/Resume Feature for Erase and Program

– Supports Reading and Programming from Any Sector by Suspending Erase of a

Different Sector

– Supports Reading Any Word by Suspending Programming of Any Other Word

• Low-power Operation

– 12 mA Active

– 13 µA Standby

• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection

• VPP Pin for Write Protection and Accelerated Program/Erase Operations

• RESET Input for Device Initialization

• Sector Lockdown Support

• Top/Bottom Boot Block Configuration

• 128-bit Protection Register

AT52BR1662A(T)

AT52BR1664A(T)

• Minimum 100,000 Erase Cycles

SRAM

• 2-megabit (128K x 16)/4-megabit (256K x 16)

• 2.7V to 3.3V V_CCOperating Voltage

• 70 ns Access Time

• Fully Static Operation and Tri-state Output

• 1.2V (Min) Data Retention

Device Number

AT52BR1662A(T)

AT52BR1664A(T)

Flash Configuration

16M (1M x 16)

SRAM Configuration

2M (128K x 16)

16M (1M x 16)

4M (256K x 16)

Rev. 3361A–STKD–6/03

12 3 4 5 6 7...42

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AT52BR1662AT-70CI	ATMEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 10 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH,
AT52BR1662AT-90CI	MICROCHIP	获取价格	Memory Circuit, 1MX16, PBGA66
AT52BR1662T-70CI	ETC	获取价格	MIXED MEMORY\|SRAM+EEPROM\|HYBRID\|BGA\|66PIN\|PLASTIC
AT52BR1662T-90CI	ETC	获取价格	MIXED MEMORY\|SRAM+EEPROM\|HYBRID\|BGA\|66PIN\|PLASTIC
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