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AT29C020-12TU PDF预览

AT29C020-12TU

更新时间： 2024-11-21 03:02:59
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL ATM异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 408K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32

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AT29C020-12TU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.81最长访问时间：120 ns
其他特性：AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：NO数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：1K端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：256最大待机电流：0.0003 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms

AT29C020-12TU 数据手册

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Features  
• Fast Read Access Time – 70 ns  
• 5-volt Only Reprogramming  
• Sector Program Operation  
– Single Cycle Reprogram (Erase and Program)  
– 1024 Sectors (256 Bytes/Sector)  
– Internal Address and Data Latches for 256 Bytes  
• Internal Program Control and Timer  
• Hardware and Software Data Protection  
• Two 8K Bytes Boot Blocks with Lockout  
• Fast Sector Program Cycle Time – 10 ms  
• DATA Polling for End of Program Detection  
• Low Power Dissipation  
2-megabit  
(256K x 8)  
5-volt Only  
Flash Memory  
– 40 mA Active Current  
– 300 µA CMOS Standby Current  
• Typical Endurance > 10,000 Cycles  
• Single 5V 10% Supply  
• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option  
AT29C020  
1. Description  
The AT29C020 is a 5-volt-only in-system Flash programmable and erasable read-only  
memory (PEROM). Its 2 megabits of memory is organized as 262,144 bytes. Manu-  
factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers  
access times to 70 ns with power dissipation of just 220 mW over the industrial tem-  
perature range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less  
than 300 µA. Device endurance is such that any sector can typically be written to in  
excess of 10,000 times.  
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT29C020 does not require high  
input voltages for programming. Five-volt-only commands determine the operation of  
the device. Reading data out of the device is similar to reading from an EPROM.  
Reprogramming the AT29C020 is performed on a sector basis; 256 bytes of data are  
loaded into the device and then simultaneously programmed.  
During a reprogram cycle, the address locations and 256 bytes of data are internally  
latched, freeing the address and data bus for other operations. Following the initiation  
of a program cycle, the device will automatically erase the sector and then program  
the latched data using an internal control timer. The end of a program cycle can be  
detected by DATA polling of I/O7. Once the end of a program cycle has been  
detected, a new access for a read or program can begin.  
0291R–FLASH–9/08  
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AT29C020-12TU 替代型号

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