是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.9 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 300 ns |
其他特性: | 100K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.008 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | NO |
宽度: | 11.43 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 3 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28LV64-30JIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28LV64-30PC | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
AT28LV64-30PI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28LV64-30SC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28LV64-30SCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28LV64-30SI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28LV64-30SIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT28LV64-30TC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT28LV64-30TCT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT28LV64-30TI | ETC |
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x8 EEPROM |