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AT28LV64-20SI

更新时间： 2024-11-29 20:14:07

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爱特美尔 - ATMEL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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7页	187K
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EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28

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AT28LV64-20SI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.4	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.86
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	100K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	17.9 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	2.65 mm
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.008 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	NO	宽度：	7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	3 ms	Base Number Matches：	1

AT28LV64-20SI 数据手册

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

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