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AT28LV64-30JC

更新时间: 2024-11-28 20:14:07
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式内存集成电路
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7页 187K
描述
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

AT28LV64-30JC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.9
最长访问时间:300 ns其他特性:100K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面:NO数据轮询:YES
数据保留时间-最小值:10耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PQCC-J32JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:2功能数量:1
端子数量:32字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:3.55 mm
最大待机电流:0.00005 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.008 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:NO宽度:11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC):3 msBase Number Matches:1

AT28LV64-30JC 数据手册

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