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AT28HC256L-12FM/883

更新时间: 2024-11-09 20:31:59
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爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP28, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-28

AT28HC256L-12FM/883 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DFP包装说明:DFP, FL28,.4
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.72最长访问时间:120 ns
其他特性:AUTOMATIC WRITE命令用户界面:NO
数据轮询:YES耐久性:10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-CDFP-F28JESD-609代码:e0
长度:18.3 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装等效代码:FL28,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
页面大小:64 words并行/串行:PARALLEL
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:3.02 mm最大待机电流:0.0003 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
切换位:YES宽度:10.16 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

AT28HC256L-12FM/883 数据手册

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