是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.72 |
最长访问时间: | 90 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.25 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.72 mm |
最大待机电流: | 0.0003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC256L-90JC | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28HC256L-90JCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28HC256L-90JI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28HC256L-90JIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
AT28HC256L-90PC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28HC256L-90PI | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
AT28HC256L-90UC | ATMEL |
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EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 | |
AT28HC256L-90UI | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28HC256LE-12DC | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28HC256LE-12DI | ETC |
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x8 EEPROM |