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AT28HC256LE-12UM

更新时间： 2024-11-09 14:37:35

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爱特美尔 - ATMEL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器 ATM 异步传输模式内存集成电路
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EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28

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AT28HC256LE-12UM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PGA
包装说明：	PGA, PGA28(UNSPEC)	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CPGA-P28	JESD-609代码：	e0
长度：	16.5 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA28(UNSPEC)
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.4 mm	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.133 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	14 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

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