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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 90 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC WRITE | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.55 mm |
| 最大待机电流： | 0.0003 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 宽度： | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28HC256L-90JCT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| AT28HC256L-90JI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28HC256L-90JIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| AT28HC256L-90PC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28HC256L-90PI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| AT28HC256L-90UC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CPGA28, CERAMIC, PGA-28 |
|
| AT28HC256L-90UI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28HC256LE-12DC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| AT28HC256LE-12DI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| AT28HC256LE-12DM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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