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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.49 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 17.9 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 7.5 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28HC256-12SJT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| AT28HC256-12SLT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
|
| AT28HC256-12SU | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC |
|
| AT28HC256-12SU | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-013, SOIC-28 |
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| AT28HC256-12TC | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
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| AT28HC256-12TCT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
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| AT28HC256-12TI | ATMEL |
获取价格 |
256 32K x 8 High Speed Parallel EEPROMs |
|
| AT28HC256-12TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
|
| AT28HC256-12TJT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
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| AT28HC256-12TLT/R | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
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