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AT28C64E-12TJ

更新时间： 2024-09-17 20:59:03
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 297K
描述
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28

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AT28C64E-12TJ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1,
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.2最长访问时间：120 ns
其他特性：10K OR 100K ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SELF-TIMED BYTE WRITE CYCLE数据保留时间-最小值：10
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：11.8 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：8 mm
最长写入周期时间 (tWC)：0.2 msBase Number Matches：1

AT28C64E-12TJ 数据手册

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Features  
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Fast Read Access Time – 120 ns  
Fast Byte Write – 200 µs  
Self-timed Byte Write Cycle  
– Internal Address and Data Latches  
– Internal Control Timer  
– Automatic Clear Before Write  
Direct Microprocessor Control  
– READY/BUSY Open Drain Output  
– DATA Polling  
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64K (8K x 8)  
Parallel  
EEPROMs  
Low Power  
– 30 mA Active Current  
– 100 µA CMOS Standby Current  
High Reliability  
– Endurance: 105 Cycles  
– Data Retention: 10 Years  
5V 10% Supply  
AT28C64E  
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CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs  
JEDEC Approved Byte-wide Pinout  
Industrial Temperature Ranges  
Green (Pb/Halide-Free) Packaging Option  
1. Description  
The AT28C64E is a low-power, high-performance 8,192 words by 8-bit nonvolatile  
electrically erasable and programmable read-only memory with popular, easy-to-use  
features. The device is manufactured with Atmel’s reliable nonvolatile technology.  
The AT28C64E is accessed like a Static RAM for the read or write cycles without the  
need for external components. During a byte write, the address and data are latched  
internally, freeing the microprocessor address and data bus for other operations. Fol-  
lowing the initiation of a write cycle, the device will go to a busy state and  
automatically clear and write the latched data using an internal control timer. The  
device includes two methods for detecting the end of a write cycle, level detection of  
RDY/BUSY (unless pin 1 is N.C.) and DATA Polling of I/O7. Once the end of a write  
cycle has been detected, a new access for a read or write can begin.  
The CMOS technology offers fast access times of 120 ns at low power dissipation.  
When the chip is deselected, the standby current is less than 100 µA.  
Atmel’s AT28C64E has additional features to ensure high quality and manufacturabil-  
ity. The device utilizes error correction internally for extended endurance and for  
improved data retention characteristics. An extra 32 bytes of EEPROM are available  
for device identification or tracking.  
0001I–PEEPR–10/06  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28C64E-12TJT/R ATMEL

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 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28
AT28C64E-12TL ATMEL

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28
AT28C64E-12TLT/R ATMEL

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28
AT28C64E-12TU ATMEL

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 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, GREEN, PLASTIC, TSOP1-28
AT28C64E-15DC ETC

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