是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP32,.56 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.35 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20.75 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.77 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT27C080-20RCT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 | |
AT27C080-20RI | ATMEL |
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OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 | |
AT27C080-20RIT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 | |
AT27C080-20TC | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
AT27C080-20TCT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
AT27C080-20TI | ETC |
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x8 EPROM | |
AT27C080-20TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 | |
AT27C080-90DC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90DI | ATMEL |
获取价格 |
8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90JC | ATMEL |
获取价格 |
8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM |