是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | WDIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.78 | 最长访问时间: | 90 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.3 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.72 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT27C080-90DI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90JC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90JI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90JU | ATMEL |
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8-Megabit (1M x 8) OTP EPROM | |
AT27C080-90PC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90PI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90PU | ATMEL |
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8-Megabit (1M x 8) OTP EPROM | |
AT27C080-90RC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90RI | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM | |
AT27C080-90TC | ATMEL |
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM |