Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> AT-42086-TR1G

AT-42086-TR1G

更新时间： 2024-09-15 06:38:23

品牌	Logo	应用领域
安华高科 - AVAGO		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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5页	68K
描述
Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor

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AT-42086-TR1G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-PRDB-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	O-PRDB-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz	Base Number Matches：	1

AT-42086-TR1G 数据手册

AT-42086

Up to 6 GHz Medium Power

Silicon Bipolar Transistor

Data Sheet

Description

Features

• High Output Power:

20.5 dBm Typical P_{1 dB}at 2.0 GHz

Avago’s AT-42086 is a general purpose NPN bipolar tran-

sistor that oﬀers excellent high frequency performance.

The AT-42086 is housed in a low cost surface mount .085"

diameterplasticpackage.The4micronemitter-to-emitter

pitch enables this transistor to be used in many diﬀerent

functions. The 20 emitter ﬁnger interdigitated geometry

yieldsamediumsizedtransistorwithimpedancesthatare

easy to match for low noise and medium power applica-

tions. Applications include use in wireless systems as an

• High Gain at 1 dB Compression:

13.5 dB Typical G_{1 dB}at 2.0 GHz

• Low Noise Figure:

1.9 dB Typical NF_Oat 2.0 GHz

• High Gain-Bandwidth Product: 8.0 GHz Typical f

• Surface Mount Plastic Package

LNA, gain stage, buﬀer, oscillator, and mixer. An optimum • Tape-and-Reel Packaging Option Available

noise match near 50Ω up to 1 GHz, makes this device easy

to use as a low noise ampliﬁer.

• Lead-free Option Available

TheAT-42086bipolartransistorisfabricatedusingAvago’s

86 Plastic Package

10 GHz f Self-Aligned-Transistor (SAT) process. The die is

nitride passivated for surface protection. Excellent device

uniformity, performance and reliability are produced by

the use of ion-implantation, self-alignment techniques,

and gold metalization in the fabrication of this device.

Pin Connections

EMITTER

BASE

COLLECTOR

EMITTER

12 3 4 5

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与AT-42086-TR1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT-42086-TR2G	AVAGO	获取价格	Up to 6 GHz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
AT4209	RAYTHEON	获取价格	Transistor,
AT-4230-TF-LW135-R	PUIAUDIO	获取价格	REVISED TO INVENTOR 3-D DRAWING TEMPLATE
AT426RAT	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT426RAT13N_SZ	COILCRAFT	获取价格	200Â°C Air Core Inductors
AT426RAT13NGSF	COILCRAFT	获取价格	General Purpose Inductor,
AT426RAT13NGSH	COILCRAFT	获取价格	General Purpose Inductor, 0.013uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1616,
AT426RAT13NGSN	COILCRAFT	获取价格	General Purpose Inductor, 0.013uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD, 1616,
AT426RAT13NGST	COILCRAFT	获取价格	General Purpose Inductor,
AT426RAT13NGSU	COILCRAFT	获取价格	General Purpose Inductor,

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