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AT-250

更新时间： 2024-11-07 22:39:15
品牌 Logo 应用领域
泰科 - TE 衰减器
页数 文件大小 规格书
2页 124K
描述
Voltage Variable Absorptive Attenuator DC - 2 GHz

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AT-250 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.14
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOP8,.25
子类别：RF/Microwave Attenuators表面贴装：YES
技术：GAASBase Number Matches：1

AT-250 数据手册

 浏览型号AT-250的Datasheet PDF文件第2页 
VoltageVariable Absorptive Attenuator  
DC - 2 GHz  
AT-250  
V 2.00  
SO-8  
Features  
● 12 dB Voltage Variable Attenuation  
● Low Intermodulation Products  
● Low DC Power Consumption: 50 µW  
● Single Voltage Control 0 to -4 Volts  
● Nanosecond Switching Speed  
● Temperature Range: -40˚C to +85˚C  
● Low Cost SOIC 8 Plastic Package  
1
● Tape and Reel Packaging Available  
Description  
M/A-COM’s AT-250 is a GaAs MMIC voltage variable absorptive  
attenuator in a low cost SOIC 8-lead surface mount plastic pack-  
age. The AT-250 is ideally suited for use where attenuation fine  
tuning, fast switching and very low power consumption are  
required. Typical applications include radio, cellular, GPS equip-  
ment and other Automatic Gain/Level Control circuits.  
Ordering Information  
Part Number  
The AT-250 is fabricated with a monolithic GaAs MMIC using a  
mature 1-micron process. The process features full chip passiva-  
tion for increased performance and reliability.  
Package  
AT-250 PIN  
SOIC 8-Lead Plastic Package  
Forward Tape & Reel  
AT-250TR  
AT-250RTR  
Reverse Tape & Reel  
Electrical Specifications, TA = +25°C  
Parameter  
Insertion Loss  
Test Conditions2  
Unit  
Min.  
Typ.  
2.9  
3.0  
3.2  
3.4  
+/– 0.1  
+/– 0.2  
+/– 0.5  
+/– 1.2  
Max  
3.1  
3.2  
3.5  
3.8  
+/– 0.3  
+/– 0.4  
+/– 0.8  
+/– 1.5  
DC – 0.1 GHz  
DC – 0.5 GHz  
DC – 1.0 GHz  
DC – 2.0 GHz  
DC – 0.1 GHz  
DC – 0.5 GHz  
DC – 1.0 GHz  
DC – 2.0 GHz  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Flatness  
(Peak to Peak)  
VSWR  
2.1:1  
Trise, Tfall  
Ton, Toff  
Transients  
10% to 90% RF, 90% to 10% RF  
50% Control to 90% RF, 50% Control to 10% RF  
In Band  
nS  
nS  
mV  
3
5
10  
Power  
Handling  
Linear Operation  
Absolute Max Input Power  
dBm  
dBm  
13  
21  
Measured Relative  
to Input Power  
0.05 GHz  
0.5 – 2.0 GHz  
28  
40  
34  
47  
IP  
2
dBm  
(For two-tone Input Power Up to +5 dBm)  
Measured Relative  
to Input Power  
0.05 GHz  
0.5 – 2.0 GHz  
dBm  
dBm  
18  
18.5  
31(3)  
36(3)  
IP  
3
(For two-tone Input Power Up to +5 dBm)  
1. Refer to “Tape and Reel Packaging”Section, or contact factory.  
2.All measurements at 1 GHz in a 50Wsystem, unless otherwise specified.A control voltage 0 to -4 volts @ 20 µA typ.  
3. For levels above 6 dB attenuation. For levels below 6 dB, the minimum specification numbers apply.  
12

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