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ASDM20N20KQ

更新时间: 2024-11-19 17:15:31
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安森德 - ASDsemi /
页数 文件大小 规格书
9页 1784K
描述
TO-252

ASDM20N20KQ 数据手册

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ASDM20N20KQ  
20V N-Channel MOSFET  
Features  
Very Low On-resistance RDS(ON)  
Low Crss  
Product Summary  
Fast switching  
V DS  
20  
20  
24  
V
m  
A
Improved dv/dt capability  
R DS(on),Typ@ VGS=4.5 V  
I D  
$SSOLFDWLRQV  
PWM Application  
Load Switch  
Power  
Management  
D
G
S
Schematic diagram  
TO-252 top view  
Absolute Maximum Ratings  
TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Drain-Source Voltage  
20  
20  
16  
60  
V
A
VDSS  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25)  
- Continuous (TC = 70)  
- Pulsed  
ID  
A
(Note 1)  
IDM  
VGSS  
PD  
Drain Current  
A
Gate-Source Voltage  
10  
±
V
Power Dissipation (TC = 25)  
27  
W
/W  
4.6  
R θJC  
TJ, TSTG  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
www.ascendsemi.com  
0755-86970486  
NOV 2022 Version1.0  
1/9  

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