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AS7C513B-20TI

更新时间: 2024-01-02 12:18:25
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 215K
描述
5V 32K x 16 CMOS SRAM

AS7C513B-20TI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.01 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS7C513B-20TI 数据手册

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AS7C513B  
®
Write cycle (over the operating range)11  
-10  
-12  
-15  
-20  
Parameter  
Write cycle time  
Symbol  
Min Max Min Max Min Max  
Min  
20  
12  
12  
0
Max  
Unit  
Notes  
t
t
t
10  
8
12  
9
15  
10  
10  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
CW  
AW  
Chip enable (CE) to write end  
Address setup to write end  
Address setup time  
8
9
t
0
0
AS  
WP  
WR  
Write pulse width  
t
7
8
9
12  
0
Write recovery time  
t
0
0
0
Address hold from end of write  
Data valid to write end  
Data hold time  
t
0
0
0
0
AH  
t
5
6
8
10  
0
DW  
t
0
0
0
5
DH  
WZ  
OW  
Write enable to output in high  
Z
t
5
6
7
8
ns  
4 , 5  
4 , 5  
Output active from write end  
Byte select low to end of write  
t
1
7
1
8
1
9
2
9
ns  
ns  
t
BW  
Write waveform 1(WE controlled)11  
tWC  
Address  
tWR  
tBW  
tAW  
LB, UB  
tAS  
tWP  
WE  
tDW  
tDH  
Data valid  
Data IN  
tWZ  
tOW  
Data OUT  
Data undefined  
High-Z  
3/26/04, v.1.3  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 9  

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