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AS7E128K32P-15XT

更新时间： 2024-02-18 09:03:19

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MICROSS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	190K
描述
EEPROM Module, 128KX32, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.090 X 1.090 INCH, CERAMIC, PGA-66

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AS7E128K32P-15XT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	PGA
包装说明：	1.090 X 1.090 INCH, CERAMIC, PGA-66	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.27
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度：	16	JESD-30 代码：	S-CPGA-P66
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EEPROM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	8.382 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

AS7E128K32P-15XT 数据手册

AS7E128K32

128K x 32 EEPROM

AUSTIN SEMICONDUCTOR, INC.

PRELIMINARY

EEPROM MODULE

FEATURES

•

Access times of 120, 150, 200 ns

Built in decoupling caps for low noise operation

Organized as 128K x32;

Operation with single 5 volt supply

Low power CMOS

TTL Compatible Inputs and Outputs

Packaging

66 pin PGA type 1.09 inch square

68 lead J leaded LCC (contact factory)

68 lead quad flatpack (contact factory)

GENERAL DESCRIPTION

These advanced features make ASI modules ideally suited

for military or space applications.

TheAS7E128K32 module is constructed using a 1.09 sq inch

ceramic pin grid array substrate. This compact layout reduces

space requirements for board assembly to a minimum.

The Austin Semiconductor, Inc. AS7E128K32 is a 4 Mega-

bit CMOS EEPROM Module organized as 128Kx32 and user

configurable to 256K x16 or 512Kx 8. The module achieves high

speed access, low power consumption and high reliability by em-

ploying advanced CMOS memory technology.

PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)

I/O8

I/O9

I/O10

A13

A14

AA 14

12 I/O15 23

1/O24 34 VCC

45 I/O31 56

CE2/PGM 13 I/O14 24

I/O25 35 CE4/PGM 46 I/O30 57

GND

I/O11

A10

14 I/O13 25

15 I/O12 26

I/O26 36 A14

47 I/O29 58

48 I/O28 59

37 I/O27

38 A3

39 A4

40 A5

41 A14

16 OE

17 NC

18 A14

19 I/O7

49 AO

50 A1

51 A2

A11

A12

VCC

52 I/O23 63

I/O0

CE1/PGM 20 I/O6

I/O16 42 CE3/PGM 53 I/O22 64

I/O1 10 NC

I/O2 11 I/O3

21 I/O5

22 I/O4

I/O17 43 GND

I/O18 44 I/O19

54 I/O21 65

55 I/O20 66

AS7E128K32

REV. 1/98

DS000034

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

7-25

12 3 4 5 6 7...9

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