Datasheet > 存储 > SRAM> AS7C34096-12JIN

AS7C34096-12JIN

更新时间： 2024-09-17 22:32:59

品牌	Logo	应用领域
ALSC		内存集成电路静态存储器光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
9页	247K
描述
5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM

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AS7C34096-12JIN 数据手册

AS7C4096

AS7C34096

Read cycle (over the operating range)^3,9

–10

–12

–15

–20

Symbo

Parameter

Read cycle time

Min

–

Max

–

Min

–

Max

–

Min

–

Max

–

Min

–

Max Unit Notes

–

Address access time

Chip enable (CE) access time

Output enable (OE) access time

Output hold from address change

CE Low to output in low Z

CE High to output in high Z

OE Low to output in low Z

OE High to output in high Z

Power up time

–

ACE

–

4, 5

CLZ

–

CHZ

–

OLZ

OHZ

–

Power down time

–

Key to switching waveforms

Rising input

Falling input

Undefined/don’t care

Read waveform 1 (address controlled)^3,6,7,9

t_RC

Address

t_AA

t_OH

D_OUT

Data valid

Read waveform 2 (CE, OE controlled)^3,6,8,9

t_RC1

t_OE

t_OLZ

t_OHZ

t_CHZ

t_ACE

D_OUT

Data valid

t_CLZ

t_PD

50%

I_CC

I_SB

t_PU

Supply

current

50%

1/13/05; v.1.9

Alliance Semiconductor

P. 4 of 9

1 2 345 6 7...9

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