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AS7C3364NTD32B-200TQC

更新时间： 2024-11-18 20:13:19

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	437K
描述
ZBT SRAM, 64KX32, 3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C3364NTD32B-200TQC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.53
最长访问时间：	3 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

AS7C3364NTD32B-200TQC 数据手册

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April 2005

AS7C3364NTD32B

AS7C3364NTD36B

3.3V 64K×32/36 Pipelined SRAM with NTD^TM

Features

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 3.3V core power supply

• 2.5V or 3.3V I/O operation with separate V_DDQ

• Self-timed write cycles

• Organization: 65,536 words × 32 or 36 bits

• NTD^™architecture for efficient bus operation

• Fast clock speeds to 200 MHz

• Fast clock to data access: 3.0/3.5/4.0 ns

• Fast OE access time: 3.0/3.5/4.0 ns

• Fully synchronous operation

• Asynchronous output enable control

• Available in 100-pin TQFP package

• Byte write enables

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for reduced power standby

Logic block diagram

^DAddress

Burst logic

A[15:0]

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

BWb

BWc

BWd

Control

logic

CLK

ADV / LD

128K x 32/36

SRAM

Array

LBO

CLK

32/36

Data

DQ [a:d]

Input

CLK

32/36

CLK

CEN

CLK

Output

32/36

DQ [a:d]

Selection Guide

-200

-166

-133

7.5

133

Units

Minimum cycle time

Maximum clock frequency

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

200

3.0

375

135

166

3.5

350

120

MHz

325

110

Maximum CMOS standby current (DC)

4/28/05; v.1.3

Alliance Semiconductor

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12 3 4 5 6 7...19

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